Курс лекций по вычислительной технике



         

Из операций сравнения вытекает - часть 25


таблиц (1/Х, \/X, тригонометрических функций, знакогенераторов CGA)

     ППЗУ (PROM программируются на специальных  программаторах и

  используются в СЦВМ для хранения программ. Информация в  них  зано­сится, например, путём прожига плавких перемычек.

         Полупостоянные или перепрограммируемые ЗУ (РПЗУ или  EPROM)  мно­гократного программирования основаны на  накоплении  заряда  при  записи ,сохранении его при считывании и при  выключении  питающего  напряже­ния (энергонезависимые) подразделяются на

     - РПЗУ с УФ стиранием (СРПЗУ или EPROM)

     - РПЗУ с электрическим стиранием (ЭСРПЗУ или EEPROM),иногда с те­невым ОЗУ.

     - флэш-память обладает сочетанием высокой плотности упаковки (выше, чем у "динамики"), энергонезависимого хранения, электрического стирания и записи, низкого потребления, высокой  надёжности  и  невысокой

стоимости при времени доступа 35-200нс. Время стирания  1-2сек,  время

программирования байта -  10мкс, причём имеется возможность  программи­рования без извлечения. В настоящее время флэш-память используется  для BIOS. C этой целью часть флэш-памяти аппаратно защищается от  переза­писи и используется в качестве загрузчика остальной части. Главное отличие флэш памяти от РПЗУ с ЭС – запись (стирание) блока, а чтение слова.

 Особенности использования  флэш-памяти  в  качестве   электронного

диска.

     

Универсальная память будущего.

Технология

Приме-

нение

Преимущества

Недо-

статки

Освоение

РСМ –эффект фазо­вого перехода от аморфного  к кри­сталлическому состоя­нию

Flash,

DRAM

Быстродействие,

 

Стоимость

-

Молекулярная память

(молек. конденсатор)

DRAM

Увеличение

ёмкости в 4 раза, без увеличения стоимости и потребляемой

мощности

Сложность

технологии

2007-2008

РМС - программируемые металлизированные ячейки

Flash,

DRAM

Снижение потребляемой мощности

-

2007-

опытные

образцы

Память на улеродных нанотрубках

Все виды, включая

ЖМД

Снижение потребляемой мощности в 10 раз (DRAM)

Сложность

технологии

2007-2010

MRAM – магнитная оперативная (принцип магнитной поляризации)

Flash,

SRAM

Быстродействие,

 

Малая плотность.

Высокая стоимость.

Опытные партии.

FRAM – ферро-электричкская память

Flash,

DRAM

Высокая надёжность и эксплуатационные качества

Высокая стоимость.

Низкая плотность

Выпускается

серийно

 

 

 




Содержание  Назад  Вперед